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표준

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KS C IEC TS 62607-6-11

나노제조 — 주요 제어 특성 — 제6-11부: 그래핀 — 결함 밀도: 라만 분광법
- 발행일 : 2023-08-25
- 발행기관 : 한국표준협회
- 국제표준 부합화 : IEC TS 62607-6-11:2022(IDT)
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분야

전기전자(C) > 전기전자일반

적용 범위

IEC TS 62607의 이 파트는 키 제어 특성을 결정하는 표준화된 방법을 확립한다. — 결함 밀도 nD 화학 증기 증착에 의해 성장된 그래핀 필름과 박리된 그래핀 플레이크는 다음과 같다. — 라만 분광학 결함밀도 nD 는 비정질화를 위한 3단계 모델에 기초한 라만 스펙트럼에서 D-피크와 G-피크 I(D)/I(G)의 강도비로부터 도출된다. — 이 분류는 제조업체가 재료 품질을 분류하고 고객이 분류된 그래핀의 전자 성능에 대한 기대를 제공하는 데 도움이 되며, 보다 구체적으로 그래핀 재료 품질이 다양한 용도에 잠재적으로 적합한지 여부를 결정하는 데 도움이 된다. — 본 문서에 따라 결정된 결함 밀도 nD 는 그래핀 IEC 62565-3-1에 대한 공백 상세 사양에 핵심 제어 특성으로 기재되어 있다. 결함간 거리 LD 는 결함 밀도 nD 로부터 계산할 수 있으며, 그래핀 격자의 결함에 대한 동등한 측도이다. — 상기 방법은 I(D)/I(G)가 0,1 내지 3의 범위로 박리된 그래핀및 기판상에 성장하거나 기판상에 전사된 그래핀에 적용 가능하며, 이는 3단계 비정질화를 해당하는 2,41 eV(514 nm)의 들뜸 에너지에 대해 2,39 × 10 cm-1의 결함 밀도에 해당한다. — 공간 분해능은 들뜬 레이저의 스팟 크기에 의해 주어지는 1 μm 정도이다. — 이 방법은 IEC 62607-6-6에 기술된 방법과 보완적이며, 라만 스펙트럼이 강도비 I(D)/I(G)가 0,1 내지 약 3의 범위에 있는 가시적인 D-피크를 나타내는 경우에 사용된다.

표준명(영어)

Nanomanufacturing — Key control characteristics — Part 6-11: Graphene — Defect density: Raman spectroscopy

국제표준분류(ICS)코드

07.120 : 나노 기술

국제표준 부합화

IEC TS 62607-6-11:2022(IDT)

※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음

고시기관(고시번호)

국가기술표준원 (제2023-0308호)

고시사유

국제표준 부합화에 따른 표준화

KS심사기준

상세정보 - KS심사기준 표
발행일	상태	심사기준파일	사유
KS심사기준 정보가 존재하지 않습니다.

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이력정보

이력정보 표
표준번호	표준명	고시일	상태	고시사유	비고
KS C IEC TS 62607-6-11상세보기	나노제조 — 주요 제어 특성 — 제6-11부: 그래핀 — 결함 밀도: 라만 분광법	2023-08-25	제정(표준)	국제표준 부합화에 따른 표준화

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