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    KS C IEC 63068-3

    반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제3부: 광발광을 사용한 결함 검사 방법
    • 발행일 : 2025-01-31
    • 발행기관 : 한국표준협회
    • 국제표준 부합화 : IEC 63068-3:2020(IDT)
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분야 전기전자(C) > 반도체·디스플레이
적용 범위 이 표준은 상용 4H-SiC(탄화규소) 에피택셜 웨이퍼에 성장한 결함을 감지하기 위한 광발광의 사용에 대한 정의와 지침을 제공한다. 또한, 이 표준은 SiC 호모에피택셜 웨이퍼의 결함을 감지하고 분류할 수 있도록 광발광 이미지와 방출 스펙트럼을 예시로 보여준다.
표준명(영어) Semiconductor devices — Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices — Part 3: Test method for defects using photoluminescence
국제표준분류(ICS)코드 31.080.99 : 기타 반도체 장치
국제표준 부합화 IEC 63068-3:2020(IDT)

※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음

고시기관(고시번호) 국가기술표준원 (제2025-0013호)
고시사유 국내 화합물 기판 제조 기술과 산업에서 SiC 호모에티택셜 기판의 결함을 비파괴적으로 검사하는 방법과 결함에 분류에 대한 가이드라인을 제시하고자 이 표준이 제정됨.
KS심사기준
상세정보 - KS심사기준 표
발행일 상태 심사기준파일 사유
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페이지수 27

이력정보

이력정보 표
표준번호 표준명 고시일 상태 고시사유 비고
KS C IEC 63068-3상세보기 반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제3부: 광발광을 사용한 결함 검사 방법 2025-01-31 제정(표준) 국내 화합물 기판 제조 기술과 산업에서 SiC 호모에티택셜 기판의 결함을 비파괴적으로 검사하는 방법과 결함에 분류에 대한 가이드라인을 제시하고자 이 표준이 제정됨.

확인 및 폐지 고시된 표준에 대해서는 마지막 제정 또는 개정 표준을 구입하시면 됩니다.

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