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KS C IEC 63068-3
반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제3부: 광발광을 사용한 결함 검사 방법- 발행일 : 2025-01-31
- 발행기관 : 한국표준협회
- 국제표준 부합화 : IEC 63068-3:2020(IDT)
상세정보
분야 | 전기전자(C) > 반도체·디스플레이 | ||||||||
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적용 범위 | 이 표준은 상용 4H-SiC(탄화규소) 에피택셜 웨이퍼에 성장한 결함을 감지하기 위한 광발광의 사용에 대한 정의와 지침을 제공한다. 또한, 이 표준은 SiC 호모에피택셜 웨이퍼의 결함을 감지하고 분류할 수 있도록 광발광 이미지와 방출 스펙트럼을 예시로 보여준다. | ||||||||
표준명(영어) | Semiconductor devices — Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices — Part 3: Test method for defects using photoluminescence | ||||||||
국제표준분류(ICS)코드 | 31.080.99 : 기타 반도체 장치 | ||||||||
국제표준 부합화 |
IEC 63068-3:2020(IDT)
※ IDT:일치, MOD:수정, NEQ:일치하지 않음 |
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고시기관(고시번호) | 국가기술표준원 (제2025-0013호) | ||||||||
고시사유 | 국내 화합물 기판 제조 기술과 산업에서 SiC 호모에티택셜 기판의 결함을 비파괴적으로 검사하는 방법과 결함에 분류에 대한 가이드라인을 제시하고자 이 표준이 제정됨. | ||||||||
KS심사기준 |
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페이지수 | 27 |
이력정보
표준번호 | 표준명 | 고시일 | 상태 | 고시사유 | 비고 |
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KS C IEC 63068-3상세보기 | 반도체 소자 — 전력 소자용 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼의 결함에 대한 비파괴 인식 기준 — 제3부: 광발광을 사용한 결함 검사 방법 | 2025-01-31 | 제정(표준) | 국내 화합물 기판 제조 기술과 산업에서 SiC 호모에티택셜 기판의 결함을 비파괴적으로 검사하는 방법과 결함에 분류에 대한 가이드라인을 제시하고자 이 표준이 제정됨. |
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인용표준
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No | 표준번호 | 표준명 | 고시일 | 언어 | 제공형태 | 판매가격 |
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