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IEC 62047-9:2011
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS- 발행일 : 2011-07-13
- 발행기관 : IEC
상세정보
| 분야 | TC 47/SC 47F : Micro-electromechanical systems |
|---|---|
| 적용범위 | IEC 62047-9:2011 describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 ohmm to several millimeters. The contents of the corrigendum of March 2012 have been included in this copy. |
| 국제분류(ICS)코드 | 31.080.99 : 기타 반도체 장치 |
| 페이지수 | 49 |
| Edition | 1.0 |
이력정보
| No. | 표준번호 | 표준명 | 발행일 | 상태 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | IEC 62047-9:2011/COR1:2012상세보기 | Corrigendum 1 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS | 2012-03-08 | 표준 |
| 2 | IEC 62047-9:2011상세보기 | Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS | 2011-07-13 | 표준 |
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